SK hynix gana el 'Partner of the Year Award' por segundo año consecutivo gracias a la colaboración en HBM5 y CoWoS con TSMC

SK hynix está fortaleciendo sus relaciones de cooperación con los socios del ecosistema global de semiconductores al presentar su próxima generación de productos de memoria para IA. SK hynix participó en la 'TSMC Open Innovation Platform (OIP) Conference' celebrada en Santa Clara, California, Estados Unidos, donde reveló su cartera de memoria de próxima generación, incluyendo HBM4 y SOCAMM2.

Exhibición de HBM4 de próxima generación y SOCAMM2 equipados con 'Vera Rubin' de NVIDIA

En esta exhibición, bajo el eslogan 'The Memory behind the Intelligence at Scale', SK hynix presentó soluciones de memoria por capas que apoyan el cómputo de IA y el almacenamiento de datos. El espacio de exhibición se dividió en HBM y memoria y almacenamiento optimizados para IA (AI-Optimized Memory & Storage).

En la zona de exhibición de HBM, se presentaron el producto HBM4 36GB 12 de SK hynix, que se integra junto con el superchip 'Vera Rubin' de NVIDIA, y el producto 96GB SOCAMM2. El producto HBM4 36GB 12 se integra directamente alrededor del núcleo de la GPU Vera Rubin para mitigar la latencia en la transferencia de datos, mientras que el SOCAMM2 funciona como la memoria principal del sistema para la CPU Vera, ayudando en los complejos cálculos y el movimiento de datos de los agentes de IA. Además, se exhibieron líneas principales como HBM4E 48GB 12, HBM4 48GB 16 y HBM3E 36GB 12.

Expansión de la línea de infraestructura de IA, desde DRAM para servidores hasta SSD con soporte de refrigeración líquida

También aparecieron en masa productos de memoria y almacenamiento para servidores dirigidos al mercado de infraestructura de IA. En la sección de DRAM para servidores, se introdujeron productos como el '256GB 3DS RDIMM', que posee la mayor capacidad de la industria, junto con el '128GB MRDIMM' de alto ancho de banda y el '64GB RDIMM' que aplica un proceso de sexta generación de clase de 10 nanómetros.

En el campo del almacenamiento, se reveló una línea de SSD que abarca diversos formatos. Especialmente, destacó el producto 'PEB210 E1.S', que soporta refrigeración líquida (DLC) para aumentar la eficiencia de enfriamiento en los centros de datos, y el 'PS1101 E3.S', el primer eSSD desarrollado basado en QLC por SK hynix, que atrajo el interés de los clientes corporativos.

Ganador del 'Partner of the Year Award' por los logros de colaboración HBM5-CoWoS con TSMC

En esta conferencia, SK hynix recibió el 'Partner of the Year Award' en la categoría '3DFabric-HBM Integration' por parte de TSMC. Este es el segundo año consecutivo que recibe este premio tras el obtenido el año pasado. SK hynix explicó que se le reconoció el logro de la colaboración en la verificación de HBM5 basado en la tecnología de empaquetado CoWoS de TSMC para el desarrollo de los próximos sistemas de IA. Ambas empresas han llevado a cabo verificaciones conjuntas desde las etapas iniciales para lograr una vinculación estrecha entre la tecnología de empaquetado y la memoria.

También se presentaron perspectivas concretas sobre la hoja de ruta tecnológica. Park Dae-sik, líder de equipo de SK hynix, analizó durante la sesión de presentación: "Se espera que el mercado de eSSD basado en PCIe crezca aproximadamente 3.8 veces, pasando de 509EB en 2026 a 1,933EB en 2030, debido a la expansión de la infraestructura de IA". Continuó afirmando: "Para las generaciones 6 y 7 de PCIe, estamos preparando soluciones SSD de próxima generación basadas en Chiplet. Esperamos lograr una reducción en el tiempo de desarrollo, expansión de capacidad y optimización de energía mediante una estructura que separa el controlador de chip único existente en unidades de Chiplet para conectarlo a UCIe".

SK hynix afirmó que, a través de este premio, ha confirmado los logros de la cooperación construida con TSMC y que planea seguir construyendo las soluciones de memoria necesarias para la era de la IA colaborando con diversos socios en el futuro.