SK hynix凭借与TSMC在HBM5·CoWoS方面的协作成果，连续两年荣获“Partner of the Year Award”

SK hynix正在通过展示下一代AI存储产品系列，加强与全球半导体生态系统合作伙伴的合作关系。SK hynix参加了在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“TSMC Open Innovation Platform (OIP) Conference”，并公开了HBM4、SOCAMM2等下一代存储产品组合。

展示搭载NVIDIA“Vera Rubin”的下一代HBM4及SOCAMM2

SK hynix在本次展览中以“The Memory behind the Intelligence at Scale”为口号，展示了支持AI计算和数据存储的分层存储解决方案。展览空间被划分为HBM与AI优化存储及存储（AI-Optimized Memory & Storage）部分。

在HBM展示区，公开了与NVIDIA超级芯片“Vera Rubin”共同搭载的SK hynix HBM4 36GB 12层产品及96GB SOCAMM2产品。HBM4 36GB 12层产品直接集成在Rubin GPU核心周围，发挥着消除数据传输延迟的作用；而SOCAMM2作为Vera CPU的主系统内存运行，其结构旨在帮助AI智能体进行复杂的计算和数据移动。此外，HBM4E 48GB 12层、HBM4 48GB 16层、HBM3E 36GB 12层等主要产品线也一同进行了展示。

从服务器DRAM到支持液冷技术的SSD，扩展AI基础设施产品线

针对AI基础设施市场的服务器内存和存储产品系列也大量登场。在服务器DRAM领域，介绍了包括行业最大容量的“256GB 3DS RDIMM”在内的产品，以及具备高带宽的“128GB MRDIMM”和采用10纳米级第6代工艺的“64GB RDIMM”。

在存储领域，公开了涵盖多种形态的SSD产品线。特别是为了提高数据中心的冷却效率，支持液冷（DLC）的“PEB210 E1.S”产品受到了关注；此外，SK hynix首次基于QLC开发的eSSD“PS1101 E3.S”也进行了展示，吸引了企业客户的兴趣。

凭借与TSMC在HBM5-CoWoS方面的协作成果荣获“Partner of the Year Award”

SK hynix在本次会议上获得了TSMC颁发的“3DFabric-HBM Integration”领域“Partner of the Year Award”。这是继去年之后的连续第二年获奖。SK hynix解释称，为了下一代AI系统的发展，公司基于TSMC的封装技术CoWoS验证HBM5的协作成果得到了认可。双方从初期阶段开始，为了实现封装技术与存储器之间的紧密联动，一直进行着共同验证。

会议还提出了关于技术路线图的具体展望。SK hynix Park Dae-sik团队长通过发表环节分析称：“随着AI基础设施的扩大，基于PCIe的eSSD市场预计将从2026年的509EB增长到2030年的1,933EB，增长约3.8倍。”他接着表示：“在第6代和第7代PCIe中，我们正在准备基于Chiplet的下一代SSD解决方案。通过将现有的单芯片控制器分离为Chiplet单元并连接到UCIe的结构，期待能够实现缩短开发周期、扩大容量以及优化功耗。”

SK hynix表示，通过此次获奖确认了与TSMC建立的合作成果，未来也计划与各种合作伙伴协作，构建AI时代所需的存储解决方案。