SK하이닉스, TSMC와 HBM5·CoWoS 협업 성과로 '올해의 파트너상' 2년 연속 수상

SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 제품군을 선보이며 글로벌 반도체 생태계 파트너들과의 협력 관계를 강화하고 있다. SK하이닉스는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 'TSMC Open Innovation Platform(OIP) 컨퍼런스'에 참가해 HBM4, SOCAMM2 등 차세대 메모리 포트폴리오를 공개했다.

엔비디아 '베라 루빈' 탑재된 차세대 HBM4 및 SOCAMM2 전시

SK하이닉스는 이번 전시에서 'The Memory behind the Intelligence at Scale'이라는 슬로건을 내걸고 AI 연산과 데이터 저장을 지원하는 계층별 메모리 솔루션을 선보였다. 전시 공간은 HBM과 AI 최적화 메모리 및 스토리지(AI-Optimized Memory & Storage)로 구분되어 구성됐다.

HBM 전시 구역에서는 엔비디아의 슈퍼칩 '베라 루빈(Vera Rubin)'과 함께 탑재된 SK하이닉스의 HBM4 36GB 12단 제품 및 96GB SOCAMM2 제품이 공개됐다. HBM4 36GB 12단 제품은 루빈 GPU 코어 주변에 직접 통합되어 데이터 전송 지연을 해소하는 역할을 수행하며, SOCAMM2는 베라 CPU의 주 시스템 메모리로 동작해 AI 에이전트의 복잡한 연산과 데이터 이동을 돕는 구조다. 이 외에도 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단 등 주요 라인업이 함께 전시됐다.

서버 D램부터 액체냉각 지원 SSD까지 AI 인프라 라인업 확장

AI 인프라 시장을 겨냥한 서버용 메모리와 스토리지 제품군도 대거 등장했다. 서버 D램 부문에서는 업계 최대 용량인 '256GB 3DS RDIMM'을 비롯해 고대역폭을 갖춘 '128GB MRDIMM', 10나노급 6세대 공정을 적용한 '64GB RDIMM'이 소개됐다.

스토리지 분야에서는 다양한 폼팩터를 아우르는 SSD 라인업이 공개됐다. 특히 데이터센터의 냉각 효율을 높이기 위해 액체냉각(DLC)을 지원하는 'PEB210 E1.S' 제품이 주목을 받았으며, SK하이닉스 최초로 QLC 기반으로 개발된 eSSD인 'PS1101 E3.S'도 전시되어 기업 고객들의 관심을 끌었다.

TSMC와 HBM5-CoWoS 협업 성과로 '올해의 파트너상' 수상

SK하이닉스는 이번 컨퍼런스에서 TSMC로부터 '3DFabric-HBM Integration' 분야 '올해의 파트너상(Partner of the Year Award)'을 수상했다. 이는 지난해에 이은 2년 연속 수상이다. SK하이닉스는 차세대 AI 시스템 발전을 위해 TSMC의 패키징 기술인 CoWoS를 기반으로 HBM5를 검증한 협업 성과를 인정받았다고 설명했다. 양사는 초기 단계부터 패키징 기술과 메모리 간의 긴밀한 연계를 위해 공동 검증을 진행해 왔다.

기술 로드맵에 대한 구체적인 전망도 제시됐다. 박대식 SK하이닉스 팀장은 발표 세션을 통해 "AI 인프라 확대에 따라 PCIe 기반 eSSD 시장은 2026년 509EB에서 2030년 1,933EB로 약 3.8배 성장할 전망"이라고 분석했다. 이어 "6세대와 7세대 PCIe에서는 칩렛(Chiplet) 기반의 차세대 SSD 솔루션을 준비 중"이라며 "기존 단일 칩 컨트롤러를 칩렛 단위로 분리해 UCIe에 연결하는 구조를 통해 개발 기간 단축과 용량 확장, 전력 최적화를 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 이번 수상을 통해 TSMC와 쌓아온 협력 성과를 확인했으며, 향후에도 다양한 파트너들과 협업해 AI 시대에 필요한 메모리 솔루션을 구축해 나갈 계획이라고 밝혔다.