SK hynix refuerza la cooperación de memoria IA de próxima generación con TSMC y gana el premio al Socio del Año por segundo año consecutivo

SK hynix ha concretado su hoja de ruta de tecnología de memoria de próxima generación de la mano de TSMC, un socio clave en el ecosistema de semiconductores de IA. Al presentar una línea de productos que abarca toda la infraestructura de IA, desde la memoria de alto ancho de banda (HBM) para maximizar el rendimiento de cómputo de IA hasta los SSD de próxima generación, esenciales para el almacenamiento de datos, la empresa destacó su liderazgo tecnológico.

SK hynix anunció que participó en la 'TSMC Open Innovation Platform (OIP) Conference' celebrada el pasado 23 (hora local) en Santa Clara, California, Estados Unidos. En esta conferencia, SK hynix adoptó el eslogan 'The Memory behind the Intelligence at Scale' y reveló una gran cantidad de soluciones de memoria de próxima generación que se instalarán en aceleradores de IA y servidores.

Revelación de HBM4 y SOCAMM2 que se instalarán en el 'Vera Rubin' de NVIDIA

El espacio de exhibición se dividió en una capa de HBM que ayuda al cómputo de IA y una capa de almacenamiento encargada del guardado de datos. El área de exhibición de HBM, que se conecta con el superchip de próxima generación de NVIDIA, 'Vera Rubin', fue especialmente llamativa. En este lugar se exhibieron físicamente el producto 'HBM4 36GB 12-layer', que cumple la función de reducir el retraso en la transferencia de datos alrededor de los núcleos GPU de Rubin, y el módulo de memoria basado en DRAM de bajo consumo 'SOCAMM2 96GB', que ayuda a mantener el contexto de los agentes de IA.

Además de HBM4, SK hynix demostró el proceso de evolución de la memoria ante el avance de la tecnología de IA al reunir una línea de HBM de alto rendimiento que incluye HBM4E 48GB 12-layer, HBM4 48GB 16-layer y HBM3E 36GB 12-layer. Asimismo, presentó el modelo de 192GB de SOCAMM2, que funciona como la memoria principal de los sistemas de servidores de IA, ofreciendo una gama de productos optimizada para el entorno de computación de IA de próxima generación.

Desde DRAM para servidores hasta SSD con soporte de refrigeración líquida... Ataque integral a la infraestructura de IA

En el campo del almacenamiento, llamaron la atención los productos de alta capacidad y alta eficiencia diseñados para responder al aumento explosivo de las cargas de trabajo de IA. En el stand de DRAM para servidores se exhibieron el '256GB 3DS RDIMM', con la mayor capacidad de la industria, el '128GB MRDIMM', con alto ancho de banda, y el '64GB RDIMM', que aplica un proceso de sexta generación de clase 10 nanómetros.

En la sección de exhibición de SSD, se enfatizaron las soluciones para aumentar la eficiencia operativa de los centros de datos. En particular, el 'PEB210 E1.S', que admite el método de refrigeración líquida (DLC), atrajo un alto interés de los clientes de centros de datos. Además, el 'PS1101 E3.S', un eSSD desarrollado por SK hynix basado por primera vez en QLC (Quadruples Level Cell), mostró que la línea de productos dirigida al mercado de almacenamiento de próxima generación se está concretando, con un flujo constante de consultas de clientes corporativos.

Resultados de la cooperación de verificación de HBM5 con TSMC... 'Partner of the Year Award' por segundo año consecutivo

En esta conferencia, SK hynix recibió el 'Partner of the Year Award' en la categoría '3DFabric-HBM Integration' por parte de TSMC. Es el segundo año consecutivo que recibe este premio tras el obtenido el año pasado. Esto es el resultado del reconocimiento a los logros de la estrecha cooperación mostrada por ambas empresas en el proceso de verificación de HBM5 basado en la tecnología de empaquetado avanzado de TSMC, CoWoS (Chip on Wafer on Substrate), para la implementación de sistemas de IA de próxima generación.

La HBM requiere esencialmente la vinculación con tecnologías de empaquetado avanzado que se combinan con las GPU para lograr el rendimiento. Desde SK hynix destacaron la importancia de la cooperación afirmando: "Hemos llevado a cabo la verificación junto con TSMC desde las etapas iniciales para sentar las bases de los sistemas de IA de próxima generación".

Por otro lado, Park Dae-sik, líder de equipo de SK hynix, participó en una sesión técnica donde compartió los cambios en la interfaz PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) y la hoja de ruta de los SSD de próxima generación. Park declaró: "Se espera que el mercado de eSSD basado en PCIe crezca hasta los 1,933EB para el año 2030 debido a la expansión de la infraestructura de IA", y añadió: "SK hynix está preparando soluciones de SSD de próxima generación basadas en Chiplet para responder a las generaciones 6 y 7 de PCIe". Al utilizar la tecnología Chiplet, es posible diseñar los chips separándolos por funciones, lo que permite reducir el periodo de desarrollo y optimizar el consumo de energía.

Fuente: news.skhynix.co.kr