SK hynix加强与TSMC的下一代AI内存合作……连续两年荣获合作伙伴奖

SK hynix与AI半导体生态系统的核心合作伙伴TSMC携手，具体化了下一代内存技术路线图。从旨在最大化AI运算性能的高带宽内存(HBM)到数据存储的核心——下一代SSD，SK hynix展示了涵盖整个AI基础设施的产品阵容，强调了其技术领导地位。

SK hynix宣布，公司参加了于当地时间23日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“TSMC Open Innovation Platform (OIP) Conference”。在本次会议上，SK hynix以“支撑大规模智能的内存(The Memory behind the Intelligence at Scale)”为口号，大量公开了将搭载于AI加速器和服务器上的下一代内存解决方案。

公开将搭载于NVIDIA“Vera Rubin”的HBM4和SOCAMM2

展示空间分为辅助AI运算的HBM层和负责数据存储的存储层。其中特别受到关注的是与NVIDIA下一代超级芯片“Vera Rubin”联动的HBM展示区。该区域实物展示了在Rubin GPU核心周围起到减少数据传输延迟作用的“HBM4 36GB 12层”产品，以及帮助AI智能体维持上下文的低功耗DRAM基内存模块“SOCAMM2 96GB”。

除了HBM4之外，SK hynix还将HBM4E 48GB 12层、HBM4 48GB 16层、HBM3E 36GB 12层等高性能HBM产品线汇集在一起，证明了随AI技术发展而进行的内存演进过程。此外，公司还展示了作为AI服务器主系统内存运行的SOCAMM2 192GB型号，提出了针对下一代AI计算环境优化的产品群。

从服务器DRAM到支持液冷技术的SSD……全方位攻占AI基础设施

在存储领域，为应对AI工作负载爆发式增长的高容量、高效率产品吸引了目光。在服务器DRAM展位，展示了业界最大容量的“256GB 3DS RDIMM”、具备高带宽的“128GB MRDIMM”以及采用10纳米级第6代工艺的“64GB RDIMM”。

在SSD展示区，强调了提高数据中心运营效率的解决方案。特别是支持液冷(DLC)方式的“PEB210 E1.S”吸引了数据中心客户的高度关注。此外，SK hynix首次基于QLC(Quadruples Level Cell)开发的eSSD“PS1101 E3.S”也持续收到企业客户的咨询，显示出瞄准下一代存储市场的产品阵容正在具体化。

与TSMC在HBM5验证方面的合作成果……连续两年荣获“年度合作伙伴奖”

SK hynix在本次会议上获得了TSMC颁发的“3DFabric-HBM Integration”领域“年度合作伙伴奖(Partner of the Year Award)”。这是继去年之后的连续第二年获奖。这是因为在为了实现下一代AI系统而基于TSMC先进封装技术CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)进行HBM5验证的过程中，两家公司所展现出的紧密合作成果得到了认可。

HBM为了实现性能，必须与GPU等结合的先进封装技术进行联动。SK hynix方面强调了合作的重要性，表示：“为了打好下一代AI系统的基础，从初期阶段开始就一直与TSMC进行验证。”

另一方面，在技术环节发言的SK hynix团队长Park Dae-sik分享了PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)接口的变化和下一代SSD路线图。Park Dae-sik表示：“随着AI基础设施的扩大，基于PCIe的eSSD市场预计到2030年将增长至1,933EB”，“SK hynix正在准备基于Chiplet的下一代SSD解决方案，以应对第6代和第7代PCIe。”利用Chiplet技术可以将芯片按功能进行分离设计，从而缩短开发周期并实现功耗优化。

来源：news.skhynix.co.kr