中国CXMT发布4F²技术进军服务器市场

中国半导体企业CXMT近期预告将凭借4F²技术进军服务器市场，通过将晶体管垂直化以缩小面积并提升集成度，试图挑战三星电子与SK hynix构建的内存供应秩序。

内存半导体市场的霸权正发生动摇。随着AI数据中心投资的扩大，三星电子和SK hynix正享受着史无前例的繁荣，但中国后发企业的技术追赶速度超出预期，市场不确定性正在增加。

根据Understanding：世间所有知识转述的高丽大学Shin Chang-hwan教授的分析，近期中国半导体企业CXMT以下一代DRAM技术“4F²”为先导，预告将进军服务器市场，提升了市场紧张感。这不仅是一次技术发布，更被解读为在过去10年深陷亏损泥潭的中国企业，向韩国企业构建的内存供应秩序发出的挑战书。

通过垂直化晶体管实现的“4F²”技术，是中国的技术杀手锏吗？

近期备受关注的4F²技术核心在于通过将晶体管垂直放置来提高集成度。现有的DRAM由于晶体管是水平放置的，占用的面积较大；若采用将晶体管垂直放置的“3D结构”，则可以在相同面积内放入更多的单元。Shin Chang-hwan教授解释称：“4F²的核心是在6F²结构的基础上将晶体管垂直化以缩小面积，这在理论上是接近微缩化极限的技术。”

决定DRAM存储信息的单位“比特（Bit）”，是根据电子是否被困在电容器（电容）中来决定0和1的。目前的技术采用电容器呈圆柱状长形凸起的结构。而4F²技术不仅将电容器，连同起到控制电子流动的“水龙头”作用的晶体管也一并垂直化。Shin教授说明了这一技术变化：“通过将晶体管垂直化来缩小面积，从而从6F²降到了4F²。”

中国CXMT率先提及该技术并瞄准服务器DRAM市场的原因非常明确。Shin教授分析称：“这是因为为了满足被推测为中国主要客户的华为等公司所要求的容量大、规格高的需求，现有方式（6F²）存在局限性。”也就是说，在难以将微缩工艺技术（F值）进一步极限缩减的情况下，试图通过结构性变化来确保集成度。视频中提到，CXMT据称已实现了11nm级的集成度，但针对其在实际量产阶段与领先企业相比表现出的集成度（EPS）究竟如何，仍需在实际芯片上市后进行分析。

不过，Shin教授对于断定中国拥有技术优势持谨慎态度。他强调：“三星电子和SK hynix也早已通过学术会议（ISSCC、VLSI）等方式发布相关技术并证明了技术实力。中国率先尝试量产并不意味着技术领先。实际竞争力取决于微缩工艺水平、量产能力以及良率。”特别是三星电子已于今年2月在ISSCC展示了相关技术，SK hynix则在去年日本VLSI会议上展示过相关技术。

利润规模越大，后发企业的机会就越大

目前三星电子和SK hynix享有的巨额利润，反而为中国等后发企业提供了成长的基石。与2017~2018年的繁荣期相比，目前内存三大企业的利润规模扩大了10倍以上。Shin教授指出：“内存价格上涨，相当于为后发企业提供了摆脱亏损并进行研究开发（R&D）和设备投资（CAPEX）的资金。”

凭借这种资金实力，中国半导体企业正在加速“半导体崛起”。Shin教授诊断称，短期内韩国企业将凭借压倒性的利润主导市场，并享受股价反映、分红、设备投资等红利；但从3~5年的长期视角来看，拥有技术野心的企业将获得挑战霸权的机会。

美国压力与供应过剩，变量依然存在

市场前景并非全然乐观。未来还潜伏着美国的政治压力以及因供应过剩导致的价格下跌风险。Shin教授解释称：“如果韩国半导体企业获得过高的利润，为了减轻美国企业的负担，美国可能会加大降价压力或扩产要求。”此外，若中美关系改善，中国半导体进入海外市场将变得更加容易，这可能对韩国企业产生不利影响。

供应方面的变量也很大。三星电子和SK hynix即便在利润减少的情况下仍试图在国内外扩建晶圆厂（Fab），是因为“不扩产带来的不利影响”更大。半导体供应的增加需要很长时间，但客户的订单可能在短时间内取消，因此存在当前的繁荣随时可能中断的风险。因此，当企业判断通过扩产获得的利益大于不扩产带来的不利时，就会强行进行投资。

最终，韩国半导体产业的生存战略在于从“通用产品”向“客户定制型高性能内存”转型。Shin教授建议：“应加强像HBM（高带宽内存）那样与NVIDIA、TSMC等共同设计产品的角色，通过这种方式寻找能够摆脱中国低价量攻和剧烈经济波动性的解决方案。”

来源：原视频（YouTube）